Nueva tecnología de memoria revolucionaria promete almacenamiento más rápido y confiable

Las compañías Micron e Intel han anunciado una nueva forma de memoria de computadora que promete un almacenamiento más rápido y confiable que las tecnologías actuales, en un espacio más reducido y a precios similares. Esta tecnología podría reducir la distinción entre memoria y almacenamiento en las computadoras y proporcionar una forma más rápida y estable de almacenar archivos grandes y videos en bruto.

La tecnología 3D XPoint

La tecnología 3D XPoint ofrece muchas de las ventajas de velocidad de la memoria DRAM, con la capacidad de almacenamiento y el precio de la tecnología NAND utilizada en las unidades de estado sólido (SSD) que están reemplazando cada vez más a los discos duros. Según las compañías, esta nueva tecnología soportará 1000 veces más ciclos de lectura/escritura que la NAND, lo que la hace más confiable que las SSD actuales.

En lugar de utilizar transistores difíciles de construir como interruptores, la tecnología 3D XPoint cuenta con miles de celdas de memoria individuales ubicadas entre matrices de cables dispuestas en ángulo recto entre sí. La aplicación de diferentes voltajes a pares específicos de cables permite acceder a celdas de memoria individuales. Estas celdas pueden almacenar un solo bit binario de datos y pueden cambiar de estado mucho más rápido que las tecnologías existentes.

Esta tecnología es considerada como la primera memoria nueva desarrollada desde la NAND hace más de 25 años. Al igual que la NAND, la tecnología 3D XPoint es no volátil, lo que significa que retiene sus datos incluso cuando no está conectada a energía, pero a diferencia de la NAND, es tolerante a muchos más ciclos de lectura/escritura, lo que la convierte en un medio de almacenamiento a largo plazo más atractivo. Además, la velocidad del sistema se acerca a la de la DRAM, lo que permite un acceso más rápido a los archivos de datos cada vez más grandes que se generan en la fotografía y videografía contemporáneas.

Los ejemplos presentados por Intel y Micron se basan en dos capas de celdas de memoria, pero afirman que esto podría aumentarse. Del mismo modo, aunque la fabricación de las estructuras es relativamente simple, permitiendo empacar datos de manera más densa que los diseños NAND existentes, ambos fabricantes afirman que esto puede mejorarse aún más a medida que la producción litográfica avanza hacia escalas cada vez más pequeñas.

Los productos basados en esta tecnología deberían estar en el mercado a partir del próximo año, según los desarrolladores.